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30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:180N03
產品封裝:TO-252
產品標題:宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 30V/180A 低壓NMOSFET 180N03 TO-252 貼片場效應管



低壓NMOSFET 180N03的產(chan) 品應用:

  • 鋰電保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



低壓NMOSFET 180N03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:180A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:500A

  • 總耗散功率 PD:187W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+175℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.8℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W



低壓NMOSFET 180N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3038
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


2.13.2
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


33.8
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
56.9
nC
Qgs柵源電荷密度

13.8
Qgd柵漏電荷密度
23.5
Ciss輸入電容
5850
pF
Coss輸出電容
720
Crss反向傳輸電容
525
td(on)開啟延遲時間
20.1
ns
tr開啟上升時間

6.3


td(off)關斷延遲時間
124.6
tf
開啟下降時間
15.8


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