國產(chan) MOS選型 120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低壓MOS管 MOSFET應用
中低壓MOS管 120N12的產(chan) 品特點：
VDS=120V
ID=120A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN5X6-8L
中低壓MOS管 120N12的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
中低壓MOS管 120N12的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | 120 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | 70 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝(chong) | 320 | |
| PD | 總耗散功率 | 125 | W |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 240 | mJ |
| IAR | 單脈衝雪崩電流 | 40 | A |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 50 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
中低壓MOS管 120N12的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6 | 6.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 3 | 3.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 61.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 17.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 14.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4282 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 429 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 17 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 11 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 55 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 28 |
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