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100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L
100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:40N10
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引腳排列
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引腳排列



N型MOSFET 40N10的產(chan) 品特點:

  • VDS=100V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V(Type:14mΩ)

  • 封裝:PDFN3X3-8L



N型MOSFET 40N10的產(chan) 品應用:

  • 消費電子電源

  • 電極控製

  • 同步整流



N型MOSFET 40N10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:40A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:120A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:57mJ

  • 總耗散功率 PD:71W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作溫度 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.76℃/W



N型MOSFET 40N10的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


1425
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=7A


1830
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
16.2
nC
Qgs柵源電荷密度

2.8
Qgd柵漏電荷密度
4.1
Ciss輸入電容
1003.9
pF
Coss輸出電容
185.4
Crss反向傳輸電容
9.8
td(on)開啟延遲時間
16.6
ns
tr開啟上升時間

3.8


td(off)關斷延遲時間
75.5
tf
開啟下降時間
46


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