-20V 雙P溝道MOS 4953B SOP-8 MOSFET報價(jia) 鋰電池MOS
雙P溝道MOS 4953B的管腳配置圖：
雙P溝道MOS 4953B的應用領域：
鋰電池保護
手機快充
雙P溝道MOS 4953B的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | -6.5 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | -3.9 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -14 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 25 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
雙P溝道MOS 4953B的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-3.4A | 42 | 55 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 55 | 75 | |||
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-2.5A | 85 | 100 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.41 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.17 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.24 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 438 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 76 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 62 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 6.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 21.8 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 37.4 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 34 |
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