宇芯微 低壓MOSFET 3416 SOT-23 20V/6.8A 手機快充MOS管
低壓MOSFET 3416的產(chan) 品特點：
VDS=20V
ID=6.8A
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=4.5V(Type:15mΩ)
封裝：SOT-23
低壓MOSFET 3416的應用領域：
鋰電池保護
手機快充
低壓MOSFET 3416的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | 6.8 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | 6 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 30 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
低壓MOSFET 3416的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=4A | 15 | 22 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=3A | 20 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 780 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 140 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 80 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 30 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 35 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10 |
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