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2311 SOT23-3L 低壓PMOS管
2311 SOT23-3L 低壓PMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:2311
產品封裝:SOT23-3L
產品標題:MOS管2311 國產低功耗MOS 2311 SOT23-3L 低壓PMOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


MOS管2311 國產(chan) 低功耗MOS 2311 SOT23-3L 低壓PMOS管



低壓PMOS管 2311的引腳圖:

image.png



低壓PMOS管 2311的產(chan) 品特點:

  • VDS=-12V

  • ID=-7A

  • RDS(ON)<24mΩ@VGS=4.5V(Type:19mΩ)

  • 封裝:SOT23-3L



低壓PMOS管 2311的產(chan) 品應用:

  • 電子煙

  • 負載開關(guan)



低壓PMOS管 2311的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-12V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:-5.8A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-22A

  • 總耗散功率 PD:1.6W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W



低壓PMOS管 2311的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-12-18
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-6A


1824
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5.2A


2026
靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-4.2A


2835
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.5-0.65-1V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.5


Qgd柵漏電荷密度
3.2
Ciss輸入電容
1100
pF
Coss輸出電容
390
Crss反向傳輸電容
300
td(on)開啟延遲時間
25
ns
tr開啟上升時間

45


td(off)關斷延遲時間
72
tf
開啟下降時間
60


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