MOSFET參數 140N09 TO-263 5.3mΩ 國產(chan) 低壓NMOS 通用場效應管

國產(chan) 低壓NMOS 140N09的應用領域：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS 不間斷電源
  

國產(chan) 低壓NMOS 140N09的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：95V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：140A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：480A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：650mJ

• 雪崩電流 I_AS：45.4A

• 總耗散功率 P_D：223W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：56℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：0.64℃/W

國產(chan) 低壓NMOS 140N09的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)