100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263 場效應管型號大全 中低壓MOS管
N型MOSFET 160N10的產(chan) 品特點:
VDS=100V
ID=160A
RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V(Type:3.7mΩ)
封裝:TO-263
N型MOSFET 160N10的應用領域:
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
N型MOSFET 160N10的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:160A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:600A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:540mJ
雪崩電流 IAS:60A
總耗散功率 PD:225W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結溫 TJ:-55~+150℃
結到管殼的熱阻 RθJC:62℃/W
結到環境的熱阻 RθJA:0.55℃/W
N型MOSFET 160N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | 110 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=80A,Tj=25℃ | 3.7 | 4.2 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 3 | 4.2 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 130 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 78 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 32 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 17 | |||
Ciss | 輸入電容 | 3950 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 1200 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 45 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 27 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 52 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 58 | |||
tf | 開啟下降時間 | 23 |