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100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263
100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:160N10
產品封裝:TO-263
產品標題:100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263 場效應管型號大全 中低壓MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


100V/160A N型MOSFET 160N10 TO-263 場效應管型號大全 中低壓MOS管



N型MOSFET 160N10的產(chan) 品特點:

  • VDS=100V

  • ID=160A

  • RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V(Type:3.7mΩ)

  • 封裝:TO-263



N型MOSFET 160N10的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



N型MOSFET 160N10的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:160A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:600A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:540mJ

  • 雪崩電流 IAS:60A

  • 總耗散功率 PD:225W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:62℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:0.55℃/W



N型MOSFET 160N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100110
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=80A,Tj=25℃


3.74.2
VGS(th)
柵極開啟電壓2.534.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
130
S
Qg柵極電荷
78
nC
Qgs柵源電荷密度

32


Qgd柵漏電荷密度
17
Ciss輸入電容
3950
pF
Coss輸出電容
1200
Crss反向傳輸電容
45
td(on)開啟延遲時間
27
ns
tr開啟上升時間

52


td(off)關斷延遲時間
58
tf
開啟下降時間
23


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