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產品分類

Product Categories
160N10 TO-220 大電流低內阻MOS
160N10 TO-220 大電流低內阻MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:160N10
產品封裝:TO-220
產品標題:場效應管報價 國產NMOS管 160N10 TO-220 大電流低內阻MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管報價(jia) 國產(chan) NMOS管 160N10 TO-220 大電流低內(nei) 阻MOS



國產(chan) NMOS管 160N10的產(chan) 品特點:

  • VDS=100V

  • ID=160A

  • RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V(Type:3.7mΩ)

  • 封裝:TO-220



國產(chan) NMOS管 160N10的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



國產(chan) NMOS管 160N10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TC=25℃

160A

漏極電流-連續

TC=100℃

105
IDM漏極電流-脈衝600
EAS單脈衝雪崩能量540mJ
IAS
雪崩電流60A
PD

總耗散功率

TC=25℃

225W
RθJA結到環境的熱阻0.55℃/W
RθJC結到管殼的熱阻62
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



國產(chan) NMOS管 160N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100110
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=80A,Tj=25℃


3.74.2
VGS(th)
柵極開啟電壓2.534.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
130
S
Qg柵極電荷
78
nC
Qgs柵源電荷密度

32


Qgd柵漏電荷密度
17
Ciss輸入電容
3950
pF
Coss輸出電容
1200
Crss反向傳輸電容
45
td(on)開啟延遲時間
27
ns
tr開啟上升時間

52


td(off)關斷延遲時間
58
tf
開啟下降時間
23


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