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120N12 TO-263 120V小內阻MOS
120N12 TO-263 120V小內阻MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N12
產品封裝:TO-263
產品標題:國產NMOS管 120N12 TO-263 120V小內阻MOS 電池保護MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


國產(chan) NMOS管 120N12 TO-263 120V小內(nei) 阻MOS 電池保護MOS



國產(chan) NMOS管 120N12的特點:

  • VDS=120V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-263



國產(chan) NMOS管 120N12的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



國產(chan) NMOS管 120N12的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:120V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:120A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:320A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:240mJ

  • 雪崩電流 IAS:40A

  • 總耗散功率 PD:125W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:0.89℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W



國產(chan) NMOS管 120N12的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓120

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.88.5
VGS(th)
柵極開啟電壓2.533.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
130
S
Qg柵極電荷
61.4
nC
Qgs柵源電荷密度

17.4


Qgd柵漏電荷密度
14.1
Ciss輸入電容
4282
pF
Coss輸出電容
429
Crss反向傳輸電容
17
td(on)開啟延遲時間
20
ns
tr開啟上升時間

11


td(off)關斷延遲時間
55
tf
開啟下降時間
28

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