國產(chan) NMOS管 120N12 TO-263 120V小內(nei) 阻MOS 電池保護MOS
國產(chan) NMOS管 120N12的特點:
VDS=120V
ID=120A
RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V
封裝:TO-263
國產(chan) NMOS管 120N12的應用領域:
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
國產(chan) NMOS管 120N12的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:120V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:120A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:320A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:240mJ
雪崩電流 IAS:40A
總耗散功率 PD:125W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結溫 TJ:-55~+150℃
結到管殼的熱阻 RθJC:0.89℃/W
結到環境的熱阻 RθJA:62℃/W
國產(chan) NMOS管 120N12的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | V | ||
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 6.8 | 8.5 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 3 | 3.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 130 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 61.4 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 17.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 14.1 | |||
Ciss | 輸入電容 | 4282 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 429 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 17 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 20 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 11 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 55 | |||
tf | 開啟下降時間 | 28 |