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120N12 TO-220 8.5mΩ 120VNMOSFET
120N12 TO-220 8.5mΩ 120VNMOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N12
產品封裝:TO-220
產品標題:MOS管廠家 120N12 TO-220 8.5mΩ 120VNMOSFET 大功率MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


MOS管廠家 120N12 TO-220 8.5mΩ 120VNMOSFET 大功率MOS



大功率MOS 120N12的產(chan) 品特點:

  • VDS=120V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-220



大功率MOS 120N12的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



大功率MOS 120N12的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓120
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TA=25℃

120A

漏極電流-連續

TA=70℃

70
IDM漏極電流-脈衝320
EAS單脈衝雪崩能量240mJ
IAS
雪崩電流40A
PD

總耗散功率

125W
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻0.89
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



大功率MOS 120N12的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓120

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.88.5
VGS(th)
柵極開啟電壓2.533.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
130
S
Qg柵極電荷
61.4
nC
Qgs柵源電荷密度

17.4


Qgd柵漏電荷密度
14.1
Ciss輸入電容
4282
pF
Coss輸出電容
429
Crss反向傳輸電容
17
td(on)開啟延遲時間
20
ns
tr開啟上升時間

11


td(off)關斷延遲時間
55
tf
開啟下降時間
28


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