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120N08 TO-247 80V/120A 大封裝MOSFET
120N08 TO-247 80V/120A 大封裝MOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:120N08
產品封裝:TO-247
產品標題:電源用NMOS 120N08 TO-247 80V/120A 大封裝MOSFET 場效應管型號
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源用NMOS 120N08 TO-247 80V/120A 大封裝MOSFET 場效應管型號



電源用NMOS 120N08的產(chan) 品特點:

  • VDS=80V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<5.2mΩ@VGS=10V

  • 封裝TO-247



電源用NMOS 120N08的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



電源用NMOS 120N08的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓80
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TC=25℃

120A

漏極電流-連續

TC=100℃

100
IDM漏極電流-脈衝480
EAS單脈衝雪崩能量560mJ
IAS
雪崩電流53.4A
PD

總耗散功率

TC=25℃

220W
RθJA結到環境的熱阻0.7℃/W
RθJC結到管殼的熱阻60
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



電源用NMOS 120N08的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓8092
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃


4.55.2
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
80
S
Qg柵極電荷
65.7
nC
Qgs柵源電荷密度

24.9


Qgd柵漏電荷密度
13.9
Ciss輸入電容
4032
pF
Coss輸出電容
546
Crss反向傳輸電容
35
td(on)開啟延遲時間
20.1
ns
tr開啟上升時間

38


td(off)關斷延遲時間
45.1
tf
開啟下降時間
21


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