宇芯微 常用MOS 80V/100A 國產(chan) 貼片MOS管 100N08 TO-252 NMOS應用領域

常用MOS 100N08的特點：

• V_DS=80V

• I_D=100A

• R_DS(ON)＜6.8mΩ@V_GS=10V(Type：5.5mΩ)

• 封裝：TO-252

常用MOS 100N08的應用領域：

• 電池保護

• 負載開關(guan)

• UPS 不間斷電源

常用MOS 100N08的極限參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：80V

• 柵極-源極電壓 VGS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：100A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：400A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：506mJ

• 總耗散功率 P_D：158W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~+150℃

• 工作結溫 T_J：-55~+150℃

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：1.22℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：92℃/W

常用MOS 100N08的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)