80P02 PDFN3X3-8L 低內(nei) 阻PMOS管 -20/-80A MOSFET器件 MOS管引腳圖
低內(nei) 阻PMOS管 80P02的產(chan) 品特點：
VDS=-20V
ID=-80A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=-4.5V(Type：4.8mΩ)
封裝：PDFN3X3-8L
低內(nei) 阻PMOS管 80P02的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
電子煙
低內(nei) 阻PMOS管 80P02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | -80 | A |
漏極電流-連續 TC=70℃ | -35 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -140 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 30 | W |
總耗散功率 TC=70℃ | 19 | ||
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 83 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 4.5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
低內(nei) 阻PMOS管 80P02的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=10A | 6 | 8 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.45 | -0.65 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 20 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 55 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 650 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 500 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 76.8 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 193 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 186.4 |
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