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650V/12A 國產高壓MOS 12N65 TO-220F
650V/12A 國產高壓MOS 12N65 TO-220F
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:12N65
產品封裝:TO-220F
產品標題:650V/12A 國產高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場效應管 NMOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


650V/12A 國產(chan) 高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場效應管 NMOS管



塑封場效應管 12N65的產(chan) 品特點:

  • VDS=650V

  • ID=12A

  • RDS(ON)<0.72Ω@VGS=10V(Type:0.6Ω)

  • 封裝:TO-220F



塑封場效應管 12N65的應用領域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



塑封場效應管 12N65的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:650V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:12A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:44A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:304mJ

  • 雪崩電流 IAR:7.7A

  • 重複雪崩能量 EAR:65mJ

  • 總耗散功率 PD:32.1W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.92℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



塑封場效應管 12N65的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓650685
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5.5A


0.60.72Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
46
nC
Qgs柵源電荷密度

7


Qgd柵漏電荷密度
23
Ciss輸入電容
1528
pF
Coss輸出電容
147
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時間
43
ns
tr開啟上升時間

29


td(off)關斷延遲時間
196
tf
開啟下降時間
51

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