650V/12A 國產(chan) 高壓MOS 12N65 TO-220F 塑封場效應管 NMOS管
塑封場效應管 12N65的產(chan) 品特點:
VDS=650V
ID=12A
RDS(ON)<0.72Ω@VGS=10V(Type:0.6Ω)
封裝:TO-220F
塑封場效應管 12N65的應用領域:
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
塑封場效應管 12N65的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:650V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續 ID:12A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:44A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:304mJ
雪崩電流 IAR:7.7A
重複雪崩能量 EAR:65mJ
總耗散功率 PD:32.1W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃
工作結溫 TJ:-55~+150℃
結到管殼的熱阻 RθJC:1.92℃/W
結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W
塑封場效應管 12N65的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | 685 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5.5A | 0.6 | 0.72 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 46 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 7 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 23 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1528 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 147 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 43 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 29 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 196 | |||
tf | 開啟下降時間 | 51 |