30VN+NMOS管 80H03 TO-252-4L 雙NMOSFET管 5.5mΩ 超低內(nei) 阻MOS
30VN+NMOS管 80H03的引腳圖：
30VN+NMOS管 80H03的產(chan) 品特點：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V(Type：4.5mΩ)
30VN+NMOS管 80H03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 80 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 51 | ||
| 漏極電流-連續 TA=25℃ | 15 | ||
| 漏極電流-連續 TA=70℃ | 12 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 160 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 115.2 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 48 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 59 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
30VN+NMOS管 80H03的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A | 3.6 | 4.5 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 6.7 | 9.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 45 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2100 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 326 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 282 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 21 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 32 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 59 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 34 |
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