hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L

產品分類

Product Categories
PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L
PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:50P04
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L 低壓MOS管 13mΩ 貼片場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L 低壓MOS管 13mΩ 貼片場效應管



低壓MOS管 50P04的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



低壓MOS管 50P04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-40
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TC=25℃

-50A

漏極電流-連續

TC=100℃

-32
IDM漏極電流-脈衝-105
EAS單脈衝雪崩能量146mJ
IAS雪崩電流-54A
PD

總耗散功率

TC=25℃

52.1W

總耗散功率

TA=25℃

2
RθJA結到環境的熱阻25℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.4
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



低壓MOS管 50P04的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40-44
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-30A


10.513
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=20A


1520
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
24
S
Qg柵極電荷
27.9
nC
Qgs柵源電荷密度

7.7


Qgd柵漏電荷密度
7.5
Ciss輸入電容
3500
pF
Coss輸出電容
323
Crss反向傳輸電容
222
td(on)開啟延遲時間
40
ns
tr開啟上升時間

35.2


td(off)關斷延遲時間
100
tf
開啟下降時間
9.6

產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: