N+N溝道MOS管 50H06 PDFN5X6-8L MOSFET價(jia) 格 雙NMOSFET
雙NMOSFET 50H06的產(chan) 品應用：
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
雙NMOSFET 50H06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：600V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID(TA=25℃)：50A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：150A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：64mJ
總耗散功率 PD(TA=25℃)：3.6W
結到環境的熱阻 RθJA：25℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：2.8℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
雙NMOSFET 50H06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=12A | 11 | 16 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 15 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 45 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2423 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 145 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 97 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 50 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 36.4 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.6 |
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