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20VP溝道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L
20VP溝道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:40P02
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:20VP溝道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L 大功率場效應管 貼片MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


20VP溝道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L 大功率場效應管 貼片MOSFET



貼片MOSFET 40P02的產(chan) 品特點:

  • VDS=-20V

  • ID=-40A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=-4.5V(Type:8mΩ)



貼片MOSFET 40P02的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



貼片MOSFET 40P02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:-40A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-160A

  • 總耗散功率 PD:60W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:83℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4.5℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



貼片MOSFET 40P02的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20-22
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


812
靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-5A


11116
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4-0.65-1V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導12

S
Qg柵極電荷
63
nC
Qgs柵源電荷密度

9.1


Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
1600
pF
Coss輸出電容
350
Crss反向傳輸電容
300
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間

15


td(off)關斷延遲時間
110
tf
開啟下降時間
70


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