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產品分類

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25N04 TO-252 無線充用40VMOS
25N04 TO-252 無線充用40VMOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:25N04
產品封裝:TO-252
產品標題:N溝道場效應管 25N04 TO-252 無線充用40VMOS 國產芯片MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


N溝道場效應管 25N04 TO-252 無線充用40VMOS 國產(chan) 芯片MOS管



國產(chan) 芯片MOS管 25N04的產(chan) 品特點:

  • VDS=40V

  • ID=25A

  • RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V(Type:23mΩ)



國產(chan) 芯片MOS管 25N04的產(chan) 品應用:

  • 無線充電

  • 無刷馬達



國產(chan) 芯片MOS管 25N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TA=25℃

25A

漏極電流-連續

TA=70℃

14.9
IDM漏極電流-脈衝73
EAS單脈衝雪崩能量16.2mJ
IAS雪崩電流14A
PD總耗散功率

TA=25℃

1.67W
RθJA結到環境的熱阻75℃/W
RθJC結到管殼的熱阻30
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



國產(chan) 芯片MOS管 25N04的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=4A


2330
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


3045
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
8
S
Qg柵極電荷
5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.54


Qgd柵漏電荷密度
1.84
Ciss輸入電容
452
pF
Coss輸出電容
51
Crss反向傳輸電容
38
td(on)開啟延遲時間
7.8
ns
tr開啟上升時間

2.1


td(off)關斷延遲時間
29
tf
開啟下降時間
2.1


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