宇芯微 國產(chan) MOS 20P02 QFN2X2-6L -20V/-20A PMOSFET 18mΩ 低內(nei) 阻MOS管
國產(chan) MOS 20P02的應用領域:
電子煙
負載開關(guan)
國產(chan) MOS 20P02的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:-20V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續 ID:-20A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:-60A
總耗散功率 PD:2.4W
結到環境的熱阻 RθJA:52℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:6.9℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
國產(chan) MOS 20P02的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 12 | 18 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-8.9A | 18 | 22 | |||
靜態漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-4.5A | 24 | 38 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | -3 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 21 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 6 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2138 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 685 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 650 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 30 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 48 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 97 | |||
tf | 開啟下降時間 | 65 |