20mΩ 低壓MOS管 16P02 SOP-8 電池保護MOS 通用MOSFET

電池保護MOS 16P02的應用領域：

• 鋰電保護

• 負載開關(guan)

• UPS 不間斷電源
  

電池保護MOS 16P02的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-20V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

• 漏極電流-連續 I_D：-16A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-48A

• 總耗散功率 P_D：2.5W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結到環境的熱阻 R_θJC：24℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

電池保護MOS 16P02的電特性：

(如無特殊說明，T_j=25℃)

符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	-20	-24		V
RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A		14	20	mΩ
	靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-10A		22	28
VGS(th)	柵極開啟電壓	-0.5	-0.6	-1.2	V
IGSS	柵極漏電流			±100	nA
Qg	柵極電荷		15.3		nC
Qgs	柵源電荷密度		2.2
Qgd	柵漏電荷密度		4.4
Ciss	輸入電容		2000		pF
Coss	輸出電容		242
Crss	反向傳輸電容		231
td(on)	開啟延遲時間		10		ns
tr	開啟上升時間		31
td(off)	關斷延遲時間		28
tf	開啟下降時間		8