hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 15H06 SOP-8 N+N溝道MOS管

產品分類

Product Categories
15H06 SOP-8 N+N溝道MOS管
15H06 SOP-8 N+N溝道MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:15H06
產品封裝:SOP-8
產品標題:15H06 SOP-8 N+N溝道MOS管 增強型場效應管 60V/15A MOSFET應用
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


15H06 SOP-8 N+N溝道MOS管 增強型場效應管 60V/15A MOSFET應用



N+N溝道MOS管 15H06的產(chan) 品特點:

  • VDS=60V

  • ID=15A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=10V(Type:11mΩ)



N+N溝道MOS管 15H06的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



N+N溝道MOS管 15H06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:15A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:45A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:64mJ

  • 總耗散功率 PD:3.6W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



N+N溝道MOS管 15H06的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6065
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=12A


1118
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


1520
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
45
S
Qg柵極電荷
19.3
nC
Qgs柵源電荷密度

7.1


Qgd柵漏電荷密度
7.6
Ciss輸入電容
2423
pF
Coss輸出電容
145
Crss反向傳輸電容
97
td(on)開啟延遲時間
7.2
ns
tr開啟上升時間

50


td(off)關斷延遲時間
36.4
tf
開啟下降時間
7.6


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: