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10N10 TO-252 100V/10A 國產N溝道MOS管
10N10 TO-252 100V/10A 國產N溝道MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10N10
產品封裝:TO-252
產品標題:MOSFET選型 10N10 TO-252 100V/10A N溝道MOS管 國產芯片MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


MOSFET選型 10N10 TO-252 100V/10A N溝道MOS管 國產(chan) 芯片MOS



N溝道MOS管 10N10的管腳配置圖:

image.png



N溝道MOS管 10N10的產(chan) 品應用:

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



N溝道MOS管 10N10的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:10A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:24A

  • 總耗散功率 PD:30W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:80℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



N溝道MOS管 10N10的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100120
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


240280
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


260300
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.852.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
14
S
Qg柵極電荷
9.7
nC
Qgs柵源電荷密度

1.6


Qgd柵漏電荷密度
1.7
Ciss輸入電容
508
pF
Coss輸出電容
29
Crss反向傳輸電容
16.4
td(on)開啟延遲時間
1.6
ns
tr開啟上升時間

19


td(off)關斷延遲時間
13.6
tf
開啟下降時間
19


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