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10N06 TO-252 國產常用NMOS
10N06 TO-252 國產常用NMOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10N06
產品封裝:TO-252
產品標題:60V/13A 電池保護MOS管 10N06 TO-252 國產常用NMOS MOSFET芯片
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


60V/13A 電池保護MOS管 10N06 TO-252 國產(chan) 常用NMOS MOSFET芯片



電池保護MOS管 10N06的管腳圖:

image.png



電池保護MOS管 10N06的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



電池保護MOS管 10N06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓60
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID

漏極電流-連續

TC=25℃

13A

漏極電流-連續

TC=100℃

10
IDM漏極電流-脈衝50
EAS單脈衝雪崩能量11mJ
IAS
雪崩電流10A
PD

總耗散功率

TC=25℃

42W
RθJA結到環境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



電池保護MOS管 10N06的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6064
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


6580
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=5A


7590
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
5.1
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2


Qgd柵漏電荷密度
1.5
Ciss輸入電容
330
pF
Coss輸出電容
65
Crss反向傳輸電容
46
td(on)開啟延遲時間
13
ns
tr開啟上升時間

51


td(off)關斷延遲時間
15.2
tf
開啟下降時間
10.3


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