hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8

產品分類

Product Categories
8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8
8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:8V04
產品封裝:SOP-8
產品標題:8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8 低內阻場效應管 國產大芯片MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


8A/40V P+P溝道MOS管 8V04 SOP-8 低內(nei) 阻場效應管 國產(chan) 大芯片MOS



P+P溝道MOS管 8V04的管腳配置圖:

image.png



P+P溝道MOS管 8V04的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



P+P溝道MOS管 8V04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:-8.2A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-36A

  • 總耗散功率 PD:3.1W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:40℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



P+P溝道MOS管 8V04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40-46
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-18A


3540

靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


4865
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
12.6
S
Qg柵極電荷
9
nC
Qgs柵源電荷密度
2.54
Qgd柵漏電荷密度
3.1
Ciss輸入電容
1004
pF
Coss輸出電容
108
Crss反向傳輸電容
80
td(on)開啟延遲時間
19.2
ns
tr開啟上升時間
12.8
td(off)關斷延遲時間
48.6
tf
開啟下降時間
4.6

產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: