N+N溝道MOS管 8H10 SOP-8 鋰電保護MOS管 雙NMOSFET

N+N溝道MOS管 8H10的引腳圖：

N+N溝道MOS管 8H10的應用領域：

• 鋰電池保護

• 手機快充
  

N+N溝道MOS管 8H10的極限值：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：8.3A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：24.3A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：6.1mJ

• 總耗散功率 P_D：1.5W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：8.1℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

N+N溝道MOS管 8H10的電特性：

(如無特殊說明，T_j=25℃)