國產(chan) MOSFET 5N06 SOT-89-3L 低壓MOS管 60V/5.8A 80mΩ 鋰電池場效應管
國產(chan) MOSFET 5N06的特點：
VDS=60V
ID=5.8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=10V(Type:65mΩ)
國產(chan) MOSFET 5N06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：5.8A
漏極電流-脈衝(chong) IDM：15A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS：6.2mJ
雪崩電流 IAS：10A
總耗散功率 PD：1.5W
結到環境的熱阻 RθJA：85℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：25℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
國產(chan) MOSFET 5N06的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 64 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 65 | 80 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 75 | 90 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 5.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 330 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 65 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 46 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 13 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 51 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 15.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10.3 |
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