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500V高壓MOS管 3N50 TO-252
500V高壓MOS管 3N50 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:3N50
產品封裝:TO-252
產品標題:500V高壓MOS管 3N50 TO-252 貼片NMOS管 國產大芯片
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


500V高壓MOS管 3N50 TO-252 貼片NMOS管 國產(chan) 大芯片



500V高壓MOS管 3N50的應用領域:

  • UPS 不間斷電源

  • PFC 功率因素校正



500V高壓MOS管 3N50的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:500V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±30V

  • 漏極電流-連續 ID:3A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:12A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:57mJ

  • 雪崩電流 IAR:2.4A

  • 重新雪崩能量 EAR:6.4mJ

  • 總耗散功率 PD:32.9W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:6.25℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



500V高壓MOS管 3N50的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓500550
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=3.5A


2.43Ω
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
8
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2


Qgd柵漏電荷密度
5
Ciss輸入電容
310
pF
Coss輸出電容
39
Crss反向傳輸電容
6
td(on)開啟延遲時間
7.8
ns
tr開啟上升時間

33


td(off)關斷延遲時間
23
tf
開啟下降時間
59


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