500V高壓MOS管 3N50 TO-252 貼片NMOS管 國產(chan) 大芯片
500V高壓MOS管 3N50的應用領域:
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
500V高壓MOS管 3N50的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:500V
柵極-源極電壓 VGS:±30V
漏極電流-連續 ID:3A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:12A
單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:57mJ
雪崩電流 IAR:2.4A
重新雪崩能量 EAR:6.4mJ
總耗散功率 PD:32.9W
結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:6.25℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
500V高壓MOS管 3N50的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 500 | 550 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=3.5A | 2.4 | 3 | Ω | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.2 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 310 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 39 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 6 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 7.8 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 33 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 23 | |||
tf | 開啟下降時間 | 59 |