低壓MOSFET 100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管 MOS管應用
低壓MOSFET 1N10的應用:
噴霧器
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
低壓MOSFET 1N10的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:1.5A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:6A
總耗散功率 PD:1.2W
結到環境的熱阻 RθJA:104℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:75℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
低壓MOSFET 1N10的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1.5A | 430 | 500 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 460 | 550 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
Qg | 柵極電荷 | 6.47 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.27 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.29 | |||
Ciss | 輸入電容 | 232 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 23 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 24 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 4.6 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 18 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 16 | |||
tf | 開啟下降時間 | 27.4 |