低壓N+PMOS 8G06 SOP-8 常用國產(chan) MOS 60V場效應管價(jia) 格
低壓N+PMOS 8G06的引腳圖：
低壓N+PMOS 8G06的特點：
1、N-CH：
VDS=60V
ID=8.5A
RDS(ON)＜52mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-60V
ID=-7.7A
RDS(ON)＜100mΩ@VGS=-10V
低壓N+PMOS 8G06的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 8.5 | -7.7 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=70℃) | 4 | -3 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 20 | -14 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 22 | 28.8 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 21 | 24 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 2 | 2 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 62.5 | 62.5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
