N+P溝道MOS管 8G04 SOP-8 無線充用MOS管 低壓場效應管
無線充用MOS管 8G04的引腳圖：
無線充用MOS管 8G04的特點：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=8.3A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-6.3A
RDS(ON)＜50mΩ@VGS=-10V
無線充用MOS管 8G04的用途：
無線充電
無刷馬達
無線充用MOS管 8G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 8.3 | -6.3 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=70℃) | 4.2 | -3.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 26 | -24 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 57 | 57 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
