低壓MOS管 3400 SOT-23 手機快充MOS管 A09T 場效應管絲(si) 印
手機快充MOS管 3400的特點:
VDS=30V
ID=6.2A
RDS(ON)<28mΩ@VGS=10V
封裝:SOT-23
手機快充MOS管 3400的應用領域:
鋰電池保護
手機快充
手機快充MOS管 3400的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:30V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續 ID:6.2A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:20A
總耗散功率 PD:1W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:85℃/W
手機快充MOS管 3400的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5.8A | 20 | 28 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 24 | 32 | |||
靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=4A | 31 | 55 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.85 | 1.2 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
gfs | 正向跨導 | 25 | S | ||
Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
Ciss | 輸入電容 | 860 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 84 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 70 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 5 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 47 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 26 | |||
tf | 開啟下降時間 | 8 |