40VN+P MOSFET 20G04 PDFN5X6-8L 低壓MOS絲(si) 印 場效應管廠家
MOSFET 20G04的產(chan) 品特點：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=23A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-20A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
MOSFET 20G04的引腳圖：
MOSFET 20G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TC=25℃) | 23 | -20 | A |
| 漏極電流-連續 (TC=100℃) | 18 | -16 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 46 | -40 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 28 | 66 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 17.8 | -27.2 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 25 | 31.3 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
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