宇芯微 40V N+P溝道MOS 10G04 SOP-8 無線充用MOSFET 國內(nei) MOS管
N+P溝道MOS 10G04的產(chan) 品特點：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=9.8A
RDS(ON)＜26mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-7.5A
RDS(ON)＜45mΩ@VGS=-10V
N+P溝道MOS 10G04的應用領域：
無線充電
無刷馬達
N+P溝道MOS 10G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 9.8 | -7.5 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=70℃) | 5.2 | -4.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 23 | -22 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 18 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 75 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
