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65N04 PDFN3X3-8L 低壓大電流MOS
65N04 PDFN3X3-8L 低壓大電流MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:65N04
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:40V/65A 65N04 PDFN3X3-8L 低壓大電流MOS 開關MOSFET NMOS管手冊
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


40V/65A 65N04 PDFN3X3-8L 低壓大電流MOS 開關(guan) MOSFET NMOS管手冊(ce)



低壓大電流MOS 65N04的引腳圖:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS不間斷電源



低壓大電流MOS 65N04的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:65A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:180A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:81mJ

  • 雪崩電流 IAS:10A

  • 總耗散功率 PD:27.8W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:60℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4.5℃/W



低壓大電流MOS 65N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


810

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


1013
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
37
nC
Qgs柵源電荷密度
6
Qgd柵漏電荷密度
7
Ciss輸入電容
2400
pF
Coss輸出電容
192
Crss反向傳輸電容
165
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間
12
td(off)關斷延遲時間
38
tf
開啟下降時間
9


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