60V低壓MOS 8N06 SOT89-3L 貼片小封裝MOS 應用於(yu) 電源 MOSFET
60V低壓MOS 8N06的產(chan) 品特點：
VDS=60V
ID=8.5A
RDS(ON)＜35mΩ@VGS=10V
封裝：SOT89-3L
60V低壓MOS 8N06的引腳圖：
60V低壓MOS 8N06的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | 8.5 | A |
| 漏極電流-連續 TA=70℃ | 5.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 14.6 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 21.5 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 20.6 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.2 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 36 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
60V低壓MOS 8N06的極限參數：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 65 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 28 | 40 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=5A | 33 | 45 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 20.3 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1148 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 58.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 49.4 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 20 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 15 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 24 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
