國產(chan) 替換MOS N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L 低壓MOSFET
國產(chan) 替換MOS 15G03的產(chan) 品特點：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=18A
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-15A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=-10V
國產(chan) 替換MOS 15G03的應用領域：
無線充電
無刷馬達
國產(chan) 替換MOS 15G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 18 | -15 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=100℃) | 10 | -8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 52 | -46 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 21 | 30 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 18 | 18 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 55 | 55 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
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