場效應管主要參數 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增強型MOS 高頻電路MOS管
30V增強型MOS 5G03的產(chan) 品特點：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=8A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-7.2A
RDS(ON)＜50mΩ@VGS=-10V
30V增強型MOS 5G03的應用領域：
功率切換應用程序
硬開關(guan) 和高頻電路
UPS 不間斷電源
30V增強型MOS 5G03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TC=25℃) | 8 | -7.2 | A |
| 漏極電流-連續 (TC=100℃) | 6 | -5.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 35 | -32 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 12 | 4 | mJ |
| IAS | 單脈衝雪崩電流 | 15 | 11 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 12 | 12 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 52.5 | 52.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 5.8 | 5.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
30V增強型MOS 5G03的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
