hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 25G02 PDFN5X6-8L 國產N+P溝道 低壓MOS

產品分類

Product Categories
25G02 PDFN5X6-8L 國產N+P溝道 低壓MOS
25G02 PDFN5X6-8L 國產N+P溝道 低壓MOS
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:25G02
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:25G02 PDFN5X6-8L 國產N+P溝道 低壓MOS 無線充電MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


25G02 PDFN5X6-8L 國產(chan) N+P溝道 低壓MOS 無線充電MOS



低壓MOS 25G02的引腳圖:

image.png



低壓MOS 25G02的產(chan) 品應用領域:

  • 無線充電

  • 無數馬達



低壓MOS 25G02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
N-CHP-CH
VDS漏極-源極電壓20-20
V
VGS柵極-源極電壓±20±20
ID漏極電流-連續 (TC=25℃)32-26.8A
漏極電流-連續 (TC=100℃)27.4-22.5
IDM漏極電流-脈衝78-69.1
EAS單脈衝雪崩能量150135mJ
IAS雪崩電流7268A
PD總耗散功率 (TC=25℃)4641.3W
RθJA結到環境的熱阻6262℃/W
RθJC結到管殼的熱阻55
TSTG存儲溫度-55~150-55~150
TJ工作結溫-55~150-55~150



低壓MOS 25G02的封裝外形尺寸圖:

image.png


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: