N+P溝道MOS管 3G02 SOP-8 電源用MOS ±20V場效應管
N+P溝道MOS管 3G02的引腳配置圖：
N+P溝道MOS管 3G02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TC=25℃) | 5.8 | -3.5 | A |
| 漏極電流-連續 (TC=100℃) | 4.9 | -2.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 20 | -15 | |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 1 | 1 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 125 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 85 | 85 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
N+P溝道MOS管 3G02的電特性(N-CH)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 32 | mΩ | ||
| 靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=2A | 40 | ||||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 1.2 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 25 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 860 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 84 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 70 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 47 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 26 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 8 |
N+P溝道MOS管 3G02的電特性(P-CH)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
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