hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 60V/6A N+N溝道MOS管 6H06 SOP-8

產品分類

Product Categories
60V/6A N+N溝道MOS管 6H06 SOP-8
60V/6A N+N溝道MOS管 6H06 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6H06
產品封裝:SOP-8
產品標題:60V/6A N+N溝道MOS管 6H06 SOP-8 國內MOS管替代 場效應管價格
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


60V/6A N+N溝道MOS管 6H06 SOP-8 國內(nei) MOS管替代 場效應管價(jia) 格



N+N溝道MOS管 6H06的引腳圖:

image.png



N+N溝道MOS管 6H06的產(chan) 品特點:

  • VDS=60V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<35mΩ@VGS=10V

  • 封裝:SOP-8



N+N溝道MOS管 6H06的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



N+N溝道MOS管 6H06的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:6A

  • 漏極電流-連續(TC=100℃) ID:3.5A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:24A

  • 總耗散功率 PD:2W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W



N+N溝道MOS管 6H06的點特點:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓60

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


2635
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=5A


3245
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導11

S
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度

3.3


Qgd柵漏電荷密度
5.2
Ciss輸入電容
979
pF
Coss輸出電容
120
Crss反向傳輸電容
100
td(on)開啟延遲時間
5.2
ns
tr開啟上升時間

3


td(off)關斷延遲時間
17
tf
開啟下降時間
2.5


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: