10mΩ 20H04 SOP-8 貼片雙NMOS管 MOSFET引腳 國產(chan) 大芯片
貼片雙NMOS管 20H04的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 20 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=70℃) | 10.2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 60 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 51 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 25 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 36 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
貼片雙NMOS管 20H04的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=6A | 8.5 | 10.5 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 11 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 31 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10.7 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1314 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 120 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 88 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 8.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 3.4 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 25 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.2 |
貼片雙NMOS管 20H04的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
