40V/10A 替代MOS 10H04 SOP-8 雙N溝道MOSFET 手機快充MOS管
手機快充MOS管 10H04的產(chan) 品特點：
VDS=40V
ID=10A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=10V
封裝：SOP-8
手機快充MOS管 10H04的用途：
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
手機快充MOS管 10H04的極限參數：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 10 | A |
| 漏極電流-連續 (TC=100℃) | 6.4 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 40 | |
| PD | 總耗散功率 | 2 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
手機快充MOS管 10H04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=8A | 12.9 | 16 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=4A | 18.9 | 24 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 964 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 109 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 96 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 5.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 14 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 24 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 12 |
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