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8H04 SOP-8 N+N溝道MOSFET
8H04 SOP-8 N+N溝道MOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:8H04
產品封裝:SOP-8
產品標題:8H04 SOP-8 N+N溝道MOSFET 貼片40VMOS 電源場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


8H04 SOP-8 N+N溝道MOSFET 貼片40VMOS 電源場效應管



貼片40VMOS 8H04的引腳圖:

image.png



貼片40VMOS 8H04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TA=25℃)10.8A
漏極電流-連續(TA=70℃)7.6
IDM漏極電流-脈衝36
EAS單脈衝雪崩能量31mJ
IAS
單脈衝雪崩電流25A
PD總耗散功率(TA=25℃)1.9W
RθJA
結到環境的熱阻
85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻8
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



貼片40VMOS 8H04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5A


1620
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=4A


2036
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
14

S
Qg柵極電荷
5.5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.25


Qgd柵漏電荷密度
2.5
Ciss輸入電容
593
pF
Coss輸出電容
76
Crss反向傳輸電容
56
td(on)開啟延遲時間
8.9
ns
tr開啟上升時間

2.2


td(off)關斷延遲時間
41
tf
開啟下降時間
2.7


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