hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管

產品分類

Product Categories
10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管
10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10H03
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:場效應管應用領域 10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管 UPS電源MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


場效應管應用領域 10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管 UPS電源MOS



UPS電源MOS 10H03的極限參數:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 (TC=25℃)10A
IDM漏極電流-脈衝75
EAS單脈衝雪崩能量24.2mJ
IAS
單脈衝雪崩電流22A
PD總耗散功率 (TC=25℃)26W
RθJA結到環境的熱阻75℃/W
RθJC結到管殼的熱阻4.8
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



UPS電源MOS 10H03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=15A



12
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A



16.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
24.4

S
Qg柵極電荷
9.82
nC
Qgs柵源電荷密度

2.24


Qgd柵漏電荷密度
5.54
Ciss輸入電容
896
pF
Coss輸出電容
126
Crss反向傳輸電容
108
td(on)開啟延遲時間
6.4
ns
tr開啟上升時間

39


td(off)關斷延遲時間
21
tf
開啟下降時間
4.7


場效應管應用領域 10H03 PDFN3X3-8L 功率雙NMOS管 UPS電源MOS


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: