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N+NMOS管 8814A SOT-23-6L 低內阻場效應管
N+NMOS管 8814A SOT-23-6L 低內阻場效應管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:8814A
產品封裝:SOT-23-6L
產品標題:MOSFET參數 N+NMOS管 8814A SOT-23-6L 低內阻場效應管 MOS管8814A
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


MOSFET參數 N+NMOS管 8814A SOT-23-6L 低內(nei) 阻場效應管 MOS管8814A



N+NMOS管 8814A的引腳圖:

image.png



N+NMOS管 8814A的產(chan) 品特點:

  • VDS=20V

  • ID=8A

  • RDS(ON)<17mΩ@VGS=4.5V

  • RDS(ON)<22mΩ@VGS=2.5V

  • 封裝:SOT-23-6L



N+NMOS管 8814A的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



N+NMOS管 8814A的極限參數:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓20
V
VGS柵極-源極電壓±10
ID漏極電流-連續8A
IDM漏極電流-脈衝25
PD總耗散功率1.25W
RθJA結到環境的熱阻100℃/W
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



N+NMOS管 8814A的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓20

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=4A


1417
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3A


1822
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.81.2V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
10
S
Qg柵極電荷
11
nC
Qgs柵源電荷密度

2.2


Qgd柵漏電荷密度
2.5
Ciss輸入電容
800
pF
Coss輸出電容
155
Crss反向傳輸電容
125
td(on)開啟延遲時間
18.3
ns
tr開啟上升時間

4.8


td(off)關斷延遲時間
43.5
tf
開啟下降時間
20


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