hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 20V雙NMOS管 8806 WQFN3X3-6L

產品分類

Product Categories
20V雙NMOS管 8806 WQFN3X3-6L
20V雙NMOS管 8806 WQFN3X3-6L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:8806
產品封裝:WQFN3X3-6L
產品標題:20V雙NMOS管 8806 WQFN3X3-6L 小封裝MOS管 負載開關場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


20V雙NMOS管 8806 WQFN3X3-6L 小封裝MOS管 負載開關(guan) 場效應管



20V雙NMOS管 8806的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • UPS 不間斷電源



20V雙NMOS管 8806的引腳圖:

image.png



20V雙NMOS管 8806的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±8V

  • 漏極電流-連續(TC=25℃) ID:35A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:100A

  • 總耗散功率(TC=25℃) PD:31W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~+150℃

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4℃/W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:35℃/W



20V雙NMOS管 8806的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓20

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


4.35.8
靜態漏源導通電阻

VGS=3.9V,ID=3A


4.56.5
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3A


57
靜態漏源導通電阻

VGS=1.8V,ID=3A


711
VGS(th)
柵極開啟電壓0.4
1V
IGSS柵極漏電流

±10uA
gfs正向跨導
42
S
Qg柵極電荷(4.5V)
38
nC
柵極電荷(3.9V)
33
Qgs柵源電荷密度

4.5


Qgd柵漏電荷密度
12
Ciss輸入電容
3165
pF
Coss輸出電容
380
Crss反向傳輸電容
325
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

41


td(off)關斷延遲時間
77
tf
開啟下降時間
21


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: