高壓NMOS管 6N80 TO-220F 消費電子場效應管 常用MOS型號
高壓NMOS管 6N80的產(chan) 品特點：
VDS=800V
ID=6A
RDS(ON)＜1.5Ω@VGS=10V
封裝：TO-220F
高壓NMOS管 6N80的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 800 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TC=25℃) | 6 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 24 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 18 | mJ |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 34.7 | W |
| 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.92 | ||
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
高壓NMOS管 6N80的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 800 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=3A | 1.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 4.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±1 | uA | ||
| gfs | 正向跨導 | 8 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 41 | 65.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1130 | 1808 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 56 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 12 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 21 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 41 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 110 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 48 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
