國產(chan) 替代MOS 650V/20A 20N65 TO-220F UPS用 塑封MOSFET
國產(chan) 替代MOS 20N65的場效應管：
VDS=650V
ID=20A
RDS(ON)＜0.45Ω@VGS=10V
封裝：TO-220F
國產(chan) 替代MOS 20N65的用途：
UPS 不間斷電源
PFC 功率因素校正
國產(chan) 替代MOS 20N65的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 650 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 20 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 80 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 1350 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 120 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.04 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
國產(chan) 替代MOS 20N65的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A | 0.35 | 0.45 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 34 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2978 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 291 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 40 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 37 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 66 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 175 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 84 |
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